На підставі методу рідиннофазної епітаксії (РФЕ) розроблено та реалізовано концепцію впливу на домішково-дефектну систему епітаксійних шарів і структур <$Eroman {A sub 3 B sub 5 }> комплексним легуванням хімічними елементами різного функціонального призначення, одні з яких виконують роль гетерів неконтрольованих домішок, інші - підсилювачів ефекту гетерування. На прикладі сполук GaAs, AlGaAs, InP, InGaAs, InGaAsP досліджено основні закономірності впливу комплексного легування рідкісноземельними та ізовалентними елементами на їх фотолюмінесцентні, кінетичні та структурні властивості. Визначено оптимальні кількісні співвідношення між рідкісноземельними та ізовалентними елементами у розплаві, за яких параметри епітаксійних шарів, одержаних методом РФЕ, є найкращими. Запропоновано механізм очистки епітаксійних шарів <$Eroman {A sub 3 B sub 5 }> під впливом комплексного легування, згідно якого взаємодія рідкісноземельних елементів з основними фоновими домішками (киснем і кремнієм) у розплаві, призводить до утворення сполук, зокрема, оксидів <$Eroman {Yb sub 2 O sub 3 ,~Al sub 2 O sub 3 }> та подвійних оксидів <$Eroman {Yb sub 3 Al sub 5 O sub 32 }>, що залишаються в ньому, а ізовалентні елементи (алюміній) запобігають входженню кремнію у металеву підгратку шарів <$Eroman {A sub 3 B sub 5 }>, що кристалізуються. На підставі одержаних результатів розроблено нові технологічні підходи щодо формування прикладних епітаксійних структур <$Eroman {A sub 3 B sub 5 }>

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Круковський Семен Іванович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"