Наведено результати досліджень взаємозв'язку структури ближнього порядку, розмірів структурної кореляції та динамічної, променевої стійкостей широкозонних халькогенідних напівпровідників системи Ge-As-S уздовж розрізів As2S3-GeS2, As2S3-Ge2S3, As2S3-Ge, GeS2-As, As-Ge2S3 у разі різного засобу зміни середнього координаційного числа. Встановлено прямий зв'язок між процесом поступової заміни пірамідальних с.о. AsS3 на тетраедичні GeS4/2 і пірамідальні SGe3/3, утворенням мікроненоднорідних стекол в області з сумірним вмістом різнотипних с.о. та зміною динамічної та променевої стійкостей. Експериментально доведено зміну координації Ge по сірці і навпаки на потрійну у стекол GexAsyS1-x-y в області складів, збагачених германієм. Виявлено наявність протяжної перехідної області плівка-підкладинка у плівках типу a-GeS2. Запропоновано шарувато-неоднорідну модель структури плівок широкозонних некристалічних напівпровідників. Розроблено фізико-технологічні засади створення променевостійких покрить на базі широкозонних халькогенідних склоподібних напівпровідників для силової оптики та лазерної техніки, проміжних і контрастуючих шарів для плоских пристроїв відображення інформації.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Міца Володимир Михайлович (1950–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"