На підставі результатів експериментальних досліджень фізико-хімічних властивостей бездомішкового нестехіометричного стануму телуриду підтверджено наявність двох електровалентних станів <$Eroman Sn sup 2+> і <$Eroman Sn sup 4+>. Розроблено модель точкових дефектів у <$Eroman {Sn sub 0,984 Te}> з дво- та чотиризарядними вакансіями у катіонній гратці. Запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння для різних механізмів дефектоутворення у легованому Ga, In, Sb, Bi p-SnTe та твердих розчинах систем <$Eroman {Sn sub 0,984 Te~-~Ga}> (In, Tl, Sb, Bi) - Te з урахуванням зарядових станів власних точкових дефектів, можливих зарядових станів домішок, їх локалізації у структурі типу NaCl та хімічної взаємодії. Визначено концентраційні межі реалізації даних механізмів. Показано, що утворення твердих розчинів взаємопов'язане з процесами диспропорціювання зарядових станів катіонних вакансій і домішкових іонів, а також перерозподілом вакансій Стануму та домішкових атомів за катіонними підгратками і процесами комплексоутворення з виділенням фаз типу сфалериту.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Іванишин Ірина Мирославівна (1968–) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"