Дисертацію присвячено вивченню особливостей перебігу магнітооптичних та багаточастинкових явищ у псевдоморфних модульовано легованих гетероструктурах Al_xGa_{1 - x}As/In_yGa_{1 - y}As/GaAs з шириною квантових ям, меншою за критичну. Досліджено, що відбувається кардинальна зміна характеру та механізму випромінювальної рекомбінації із зміною ширини d квантової ями InGaAs; від екситоподібної лінії для квантової ями з d = 20 нм, яка свідчить про високу якість шару In_yGa_{1 - y}As, до широкої смуги зона-зонної рекомбінації із шириною, що складає 16 меВ, для ями із d = 12 нм. Подібна зміна є свідченням зростаючого розупорядкування в епітаксійному шарі InGaAs із зменшенням d, пов'язаного, зокрема, із флуктуаціями вмісту індію. Визначено кореляцію між змінами у спектрах фото- та магнітолюмінесценції та комбінаційного розсіювання світла, що відбиває характер розупорядкування. Розглянуто нові аспекти прояву багаточастинкових ефектів, зокрема, ферміївських крайових сингулярностей, у сильно легованих гетероструктурах. Вперше виявлено зародження таких сингулярностей та їх еволюцію із зростанням рівня оптичного збудження, що інтерпретовано у рамках моделі резонансу Фано між екситонними станами та елементарними збудженнями континууму ферміївського моря.

• Жученко Зоряна Ярославівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"