Розроблено науково-обгрунтовані методи для контролю деформацій, механічних напруг структурної досконалості та створення на їх підставі принципів конструювання вимірювального і ростового обладнання, за допомогою якого неруйнівним методом експресно контролюються на всіх стадіях напівпровідникового виробництва геометричні параметри та внутрішня напруга напівпровідникових пластин і структур. Створено апаратуру для контролю структурної досконалості напівпровідникових кристалів у процесі вирощування. Запропоновано методики і конструкції плоских інфрачервоних полярископів "Міраж-1" та "Міраж-2". Досліджено технологічні процеси високотемпературної обробки. Проведено теоретичний аналіз і експериментально підтверджено взаємозв'язок полів внутрішніх напруг з щільністю дислокації Nd. Висвітлено методику контролю щільності дислокацій під час дослідження жорсткості кремнієвих структур, спостережено нове явище зміни форми (згину) кремнієвих структур після прикладення імпульса навантаження з високою швидкістю.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22,022 + З843.312-06

Рубрики:

Структура напівпровідників

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: РА319978 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Оксанич Анатолій Петрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"