РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000237216<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Чирчик С. В. 
Механізм впливу випромінювання з області власного поглинання монокристалічного Si на його теплове випромінювання в ізотермічних умовах : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / С. В. Чирчик; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. - К., 2006. - 20 c. - укp.

Продемонстровано новий принцип використання Si як випромінювача в інфрачервоному (ІЧ) діапазоні спектра, який базується на ефекті модуляції потужності теплового випромінювання напівпровідника у спектральному діапазоні внутрішньозонних електронних переходів за умов збудження зони напівпровідника. Експериментально показано, що температурна залежність потужності збудженого світлом ІЧ випромінювання криталів Si має вигляд кривої з максимумом. Положення максимуму залежить від концентрації та типу домішок, товщини зразків і довжини хвилі ІЧ випромінювання. Немонотонність пояснено зростанням коефіцієнта поглинання ІЧ випромінювання рівноважними носіями за умов збільшення температури. Експериментально показано, що у разі збудження світлом з області фундаментального поглинання потужність теплового ІЧ випромінювання кристала Si у спектральних інтервалах 3 - 5 і 8 - 12 мкм зростає майже до потужності абсолютно чорного тіла у цих інтервалах за наявності на поверхні Si одношарового просвітлювального покриття за незмінної температури кристала. Доведено можливість налаштування спектра збуджувального світлом теплового ІЧ випромінювання Si переважно на один з діапазонів - 3 - 5 або 8 - 12 мкм за рахунок використання спектрально-селективних покриттів. Обгрунтовано й експериментально доведено можливість генерації ІЧ випромінювання та ІЧ зображень позитивного (<$Eroman {T~>>>>~0~ symbol Р C}>) та негативного (<$Eroman {T~<<<<~0~ symbol Р C}>) контрасту, що грунтується на ефекті модульної потужності теплового випромінювання напівпровідника і не потребує охолодження самого випромінювача. Експериментально підтверджено можливість


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227,022 + З852.6

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА346484 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського