Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000237216<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Чирчик С. В. Механізм впливу випромінювання з області власного поглинання монокристалічного Si на його теплове випромінювання в ізотермічних умовах : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / С. В. Чирчик; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. - К., 2006. - 20 c. - укp.Продемонстровано новий принцип використання Si як випромінювача в інфрачервоному (ІЧ) діапазоні спектра, який базується на ефекті модуляції потужності теплового випромінювання напівпровідника у спектральному діапазоні внутрішньозонних електронних переходів за умов збудження зони напівпровідника. Експериментально показано, що температурна залежність потужності збудженого світлом ІЧ випромінювання криталів Si має вигляд кривої з максимумом. Положення максимуму залежить від концентрації та типу домішок, товщини зразків і довжини хвилі ІЧ випромінювання. Немонотонність пояснено зростанням коефіцієнта поглинання ІЧ випромінювання рівноважними носіями за умов збільшення температури. Експериментально показано, що у разі збудження світлом з області фундаментального поглинання потужність теплового ІЧ випромінювання кристала Si у спектральних інтервалах 3 - 5 і 8 - 12 мкм зростає майже до потужності абсолютно чорного тіла у цих інтервалах за наявності на поверхні Si одношарового просвітлювального покриття за незмінної температури кристала. Доведено можливість налаштування спектра збуджувального світлом теплового ІЧ випромінювання Si переважно на один з діапазонів - 3 - 5 або 8 - 12 мкм за рахунок використання спектрально-селективних покриттів. Обгрунтовано й експериментально доведено можливість генерації ІЧ випромінювання та ІЧ зображень позитивного (<$Eroman {T~>>>>~0~ symbol Р C}>) та негативного (<$Eroman {T~<<<<~0~ symbol Р C}>) контрасту, що грунтується на ефекті модульної потужності теплового випромінювання напівпровідника і не потребує охолодження самого випромінювача. Експериментально підтверджено можливість Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227,022 + З852.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА346484 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|