Досліджено вплив домішок та умов відпалу на електричні властивості та конверсію типу провідності бездомішкових і легованих ауром, індієм, талієм, германієм і хлором кристалів кадмій телуриду. Розроблено моделі квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів у легованому матеріалі. На основі використання інтегральних, парціальних і відносних коефіцієнтів компенсації встановлено домінуючі точкові дефекти. Доведено можливість прогнозування на базі розроблених моделей дефектоутворення електричних властивостей матеріалу за умов високотемпературної рівноваги дефектів, а також визначення концентрації спектра дефектів та холлівської концентрації носіїв заряду у кристалах, відпалених за високих температур і охолоджених до кімнатної. Визначено технологічні умови формування CdTe та CdTe : Au (In, Tl, Ge, Cl) n- та p-типу провідності. Побудовано просторові діаграми "<$Eroman n sub x ~-~ roman {P sub Cd ~-~T}>" (холлівської концентрації - парціального тиску пари кадмію - температури відпалу), що визначають умови вирощування монокристалів з наперед заданими параметрами. Для чистого та легованого телуриду кадмію одержано рівняння визначення парціального тиску пари кадмію <$Eroman {(P sub Cd ) sub {n~-~p } }>, що відповідає термодинамічному n-p-перходу. Розраховано залежність <$Eroman {(P sub Cd ) sub {n~=~p } }> від температури відпалу та вмісту домішки та уточнено константи рівноваги й ентальпії утворення дефектів.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Писклинець Уляна Михайлівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"