Проведено дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні та фотоелектричні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Визначено характеристики монокристалів, необхідні для інтерпретації властивостей напівпровідникового детектора оптичного випромінювання: електропровідність (питомий опір), концентрацію та рухливість носіїв заряду, а також їх поведінка у разі зміни температури. У монокристалів <$Eroman Hg sub 3 In sub 2 Te sub 6 }>, що застосовуються для виготовлення фотодіодів виявлено яскраво виражену домішкову (електронну) провідність. У спектральному діапазоні 0,4 - 1,7 мкм знайдено показник заломлення та коефіцієнт екстинції <$Eroman {Hg sub 3 In sub 2 Te sub 6 }>, необхідні для розрахунків фотоелектричної ефективності діодів. Досліджено механізми переносу заряду в <$Eroman {Au~-~Ni~-~Hg sub 3 ~-~In sub 2 ~-~Te sub 6 }> та <$Eroman {Ni~-~Hg sub 3 ~-~In sub 2 ~-~ Te sub 6 }> діодах Шотткі та ІТО-<$Eroman {Hg sub 3 In sub 2 Te sub 6 }> гетероструктурах. Доведено, що вольт-амперні характеристики діодів добре узгоджуютсья з теорією генерації-рекомбінації Саа-Нойса-Шоклі з урахуванням особливостей перебігу процесів у діоді Шотткі. Встановлено, що розбіжність експериментальної та теоретичної кривих за умов значної прямої напруги обумовлена дією надбар'єрного струму у діодному наближенні. Виявлено, що домінуючим механізмом переносу заряду в ІТО/<$Eroman {Hg sub 3 In sub 2 Te sub 6 }> гетероструктурі є надбар'єрне проходження основних носіїв заряду.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Герман Іванна Іванівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"