Визначено, що властивості світлочутливої системи халькогенідний склоподібний напівпровідник (ХСН) - метал обумовлює потенціальний бар'єр на межі ХСН - метал, який має гальванічну та електронну складові. Встановлено, що зміна електронної складової бар'єра визначається фотоелектричними процесами у ХСН. Розв'язок рівняння дифузії дає вираз для залежності зміни товщини шару металу d від часу опромінення t, до якого входить ряд факторів (інтенсивність світла, довжина хвилі, температура, попереднє освітлення системи, товщина шарів системи, наявність парів води). Одержаний вигляд d = d(t) визначає залежність світлочутливої системи, її енергії активації, ефективної енергії активації дифузії металу у ХСН від наведених факторів. Вирази, одержані для даних залежностей, пояснюють комплекс експериментальних властивостей системи. Враховано залежність коефіцієнта дифузії металу в ХСН від його концентрації. Обгрунтовано, що процес індукційного періоду кінетики проникнення металу до ХСН обумовлений цією залежністю. Визначено, що експериментально одержані залежності світлочутливості системи від товщини шару металу, напрямку її освітлення та особливості кінетики проникнення металу до ХСН обумовлено скінченністю товщини шарів системи.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5,022 + В379.271.42,022 + В379.224,022

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Склоподібні напівпровідники

Шифр НБУВ: РА320021 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Северин Володимир Святославович (фізико-математичні науки)
• Северин Володимир Сергійович (економічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"