РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000238625<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Воробець О. І. 
Модифікація властивостей бар'єрних структур метал-халькогенідний напівпровідник імпульсним лазерним опроміненням : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / О. І. Воробець; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2007. - 21 c. - укp.

Запропоновано використання малопотужного імпульсного лазерного опромінювання (ІЛО) (за тривалістю імпульсів <$Etau ~ symbol Ы ~2~ symbol Ш ~4~ roman мс>, інтенсивністю <$Eroman {I~=~10~ symbol Ш ~250~кВт"/"см sup 2 }>) з метою модифікації параметрів бар'єрних структур метал - халькогенідний напівпровідник. Обгрунтовано режими опромінення, які забезпечують реалізацію контрольних фізико-хімічних процесів у приконтактних шарах металу та напівпровідника у твердій фазі. Установлено закономірності лазерно стимульованих фізичних процесів трансформації дефектно-домішкової системи у CdTe у твердій фазі та визначено їх вплив на електронні властивості бар'єрних структур метал - халькогенідний напівпровідник <$Eroman {A sup 2 B sup 6 }>. З'ясовано роль домішок (Cl, As) у стабілізації параметрів бар'єрних структур за дії ІЛО на контакти метал - легований CdTe. Виявлено особливості даних процесів у структурах на основі твердих розчинів CdZnTe. Визначено оптимальні режими ІЛО, які дозволяють сформувати бар'єрні структури Pt - p - CdTe:Cl з наближеними до ідеальних характеристиками. Досліджено механізми протікання струму у таких структурах. Експериментально доведено можливість модифікації структурно-фазового складу перехідного шару у контактах Al(Au) - <$Eroman {In sub 4 Se sub 3 }> за рахунок фазового перетворення <$Eroman {In sub 4 Se sub 3 }> у сполуки <$Eroman {In sub 2 Se}> та InSe у твердому стані за малопотужного ІЛО. Показано, що за певних режимів ІЛО структур Al(Au) - PbSnTe в результаті активізації дифузійних процесів на межі розділу контакту метал - халькогенідний напівпровідник


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.5,022 + В379.227,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА354437 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського