Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000238625<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Воробець О. І. Модифікація властивостей бар'єрних структур метал-халькогенідний напівпровідник імпульсним лазерним опроміненням : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / О. І. Воробець; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2007. - 21 c. - укp.Запропоновано використання малопотужного імпульсного лазерного опромінювання (ІЛО) (за тривалістю імпульсів <$Etau ~ symbol Ы ~2~ symbol Ш ~4~ roman мс>, інтенсивністю <$Eroman {I~=~10~ symbol Ш ~250~кВт"/"см sup 2 }>) з метою модифікації параметрів бар'єрних структур метал - халькогенідний напівпровідник. Обгрунтовано режими опромінення, які забезпечують реалізацію контрольних фізико-хімічних процесів у приконтактних шарах металу та напівпровідника у твердій фазі. Установлено закономірності лазерно стимульованих фізичних процесів трансформації дефектно-домішкової системи у CdTe у твердій фазі та визначено їх вплив на електронні властивості бар'єрних структур метал - халькогенідний напівпровідник <$Eroman {A sup 2 B sup 6 }>. З'ясовано роль домішок (Cl, As) у стабілізації параметрів бар'єрних структур за дії ІЛО на контакти метал - легований CdTe. Виявлено особливості даних процесів у структурах на основі твердих розчинів CdZnTe. Визначено оптимальні режими ІЛО, які дозволяють сформувати бар'єрні структури Pt - p - CdTe:Cl з наближеними до ідеальних характеристиками. Досліджено механізми протікання струму у таких структурах. Експериментально доведено можливість модифікації структурно-фазового складу перехідного шару у контактах Al(Au) - <$Eroman {In sub 4 Se sub 3 }> за рахунок фазового перетворення <$Eroman {In sub 4 Se sub 3 }> у сполуки <$Eroman {In sub 2 Se}> та InSe у твердому стані за малопотужного ІЛО. Показано, що за певних режимів ІЛО структур Al(Au) - PbSnTe в результаті активізації дифузійних процесів на межі розділу контакту метал - халькогенідний напівпровідник Індекс рубрикатора НБУВ: В379.5,022 + В379.227,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА354437 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|