Розроблено наукові засади технології післяростової модифікації електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe та <$E{ roman Cd} sub {1~-~x } { roman Zn} sub x roman Te> для електронної техніки. На підставі дослідження частотних і температурних залежностей діелектричних сталих кристалів виявлено, що одним з основних чинників модифікації їх властивостей є еволюція внутрішніх полів, яка залежить від орієнтації дії зовнішніх факторів відносно системи двовимірних дефектів структури. Даний ефект підтверджено дослідженням полікристалів ZnSe. Обгрунтовано можливість використання як теоретичної бази технології післяростової модифікації елктрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe та <$E{ roman Cd} sub {1~-~x } { roman Zn} sub x roman Te> показників циклічного нагріву та дії малих доз іонізуючого випромінвання. Розроблено методи вимірювання електрофізичних параметрів кристалів. Доведено, що легування кристалів ZnSe домішкою Cr розширює можливості запропонованої технології за умови формування в них системи двовимірних дефектів структури.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Олійник Світлана Валентинівна (фармацевтичні науки)
• Олійник Світлана Василівна (педагогічні науки)
• Олійник Сергій Валерійович (філологічні науки)
• Олійник Сергій Васильович (історичні науки)
• Олійник Сергій Володимирович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"