![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000242722<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Власов А. П. Одержання і властивості легованих епітаксійних шарів <$Ebold { roman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te}> : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / А. П. Власов; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. - Л., 2004. - 19 c. - укp.Наведено результати комплексного дослідження властивостей легованих акцепторною домішкою As (Sb) епітаксійних шарів і структур вузькощілинного <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te>. За допомогою мас-спектрометрії вторинних іонів та електрофізичних досліджень показано, що в одержаних з використанням розроблених методик твердофазного легування варіаозних легованих епітаксійних шарах <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te> досягнуто високий (близький до 100 %) рівень електричної активності домішки As (Sb). Наведено приклади створення фотовольтаїчних приймачів інфрачервоного випромінювання з використанням варіозних контрольовано легованих As (Sb) епітаксійних <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te>. На базі результатів експериментів досліджено особливості високотемпературної дифузії As (<$ET~=~500~ symbol Ш ~600~ symbol Р roman C>) у вузькощілинних монокристалах і епітаксійних шарах <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te> у разі твердофазного легування. Показано, що коефіцієнт дифузії As (<$ED sub { roman As }>) не залежить від величини концентрації домішки за умов <$EN sub { roman As } ~<<~1~ cdot ~10 sup 18 ~ roman см sup -3>. У концентраційному інтервалі <$EN sub { roman As }> ~ 10 sup 18 ~ symbol Ш ~2~ cdot ~10 sup 19 ~ roman см sup -3> <$ED sub { roman As }> спадає як ~ <$E1"/"N sub { roman As } sup 2>, а за вищих концентрацій знову виходить на насичення. На базі математичного моделювання механізмів дифузії домішки в <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te> показано можливість дифузії арсену у вузькощілинному <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te> Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223,022 + З843.35
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА332551 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|