Наведено результати комплексного дослідження властивостей легованих акцепторною домішкою As (Sb) епітаксійних шарів і структур вузькощілинного <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te>. За допомогою мас-спектрометрії вторинних іонів та електрофізичних досліджень показано, що в одержаних з використанням розроблених методик твердофазного легування варіаозних легованих епітаксійних шарах <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te> досягнуто високий (близький до 100 %) рівень електричної активності домішки As (Sb). Наведено приклади створення фотовольтаїчних приймачів інфрачервоного випромінювання з використанням варіозних контрольовано легованих As (Sb) епітаксійних <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te>. На базі результатів експериментів досліджено особливості високотемпературної дифузії As (<$ET~=~500~ symbol Ш ~600~ symbol Р roman C>) у вузькощілинних монокристалах і епітаксійних шарах <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te> у разі твердофазного легування. Показано, що коефіцієнт дифузії As (<$ED sub { roman As }>) не залежить від величини концентрації домішки за умов <$EN sub { roman As } ~<<~1~ cdot ~10 sup 18 ~ roman см sup -3>. У концентраційному інтервалі <$EN sub { roman As }> ~ 10 sup 18 ~ symbol Ш ~2~ cdot ~10 sup 19 ~ roman см sup -3> <$ED sub { roman As }> спадає як ~ <$E1"/"N sub { roman As } sup 2>, а за вищих концентрацій знову виходить на насичення. На базі математичного моделювання механізмів дифузії домішки в <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te> показано можливість дифузії арсену у вузькощілинному <$Eroman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te>

• Власов Андрій Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"