У напівпровідниках з виродженою валентною зоною виявлено новий механізм одночастинкового неекранованого розсіяння світла вільними дірками, зумовлений розсіянням на флуктуаціях густини квадрупольного моменту за внутрішньопідзонних переходів. Установлено, що у даних напівпровідниках залежність плазмонної частоти від концентрації носіїв є більш слабкою, ніж очікувана коренева залежність, а лінія плазмового розсіяння світла має асиметричну форму. Показано, що природа цих ефектів зумовлена внеском у діелектричну проникність кристалу переходів між підзонами важких і легких дірок. У пружно одновісно деформованих кристалах виявлено комбінаційне розсіяння інфрачервоного світла вільними дірками зі зміною частоти, пропорційною величині прикладеного тиску, пояснене розсіянням світла на флуктуаціях густини квадрупольного моменту за умов фотопереходів між екстремумами розщеплених деформацією важких і легких підзон. З'ясовано, що пружна одновісна деформація кристалу германію призводить до збільшення плазмонної частоти та зменшення асиметрії лінії плазмового розсіяння світла. У деформованих кристалах германію p-типу визначено значне збільшення розширення плазмонної лінії, зумовлене зіткненням дірок з домішками. Виявлено новий механізм нелінійності поглинання світла вільними дірками у напівпровідниках з виродженою валентною зоною за прямих міжпідзонних оптичних переходів, зумовлений їх розігрівом в електричному полі світлової хвилі та зміною заселеності їх початкових станів. У кристалах германію n-типу для інтенсивного впромінювання <$Eroman CO sub 2>-лазеру

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: РА343843 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Порошин Володимир Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"