Встановлено, що оптичні властивості мікроскопічно шорсткуватого порушеного поверхневого шару на підкладках для плівок функціональних матеріалів (GGG, Al2O3 і ситалу) досить точно описуються моделлю тонкої однорідної плівки товщиною ~ 20 - 45 нм з оптичними константами, близькими до відповідних констант підкладки. На підставі експериментальних даних зроблено висновок про фізичну природу цього шару: це особливий аморфний порушений шар, що утворюється у процесі обробки поверхні та залишається після зняття напруженого поверхневого шару хімічним поліруванням. Використання спектральної еліпсометрії дає змогу розрізняти такого роду шари, незважаючи на близькість їх оптичних констант, характерних для масивних зразків. Зазначено, що використання результатів спільного аналізу даних спектральної еліпсометрії та просвічувальної електронної мікроскопії дозволяє відновлювати реальну структуру багатошарових плівок кремнію. Показано, що реальна структура системи Si-підкладка - SiO2-плівка - Si-плівка, перспективної як основа для створення рідкокристалічних моніторів, ускладнюється утворенням додаткового перехідного шару (d ~ 10 нм) і шорсткуватого поверхневого оксидного шару (d ~ 3,4 нм). У цьому разі робочий шар Si (d ~ 200 нм) є пористим (12 %) з істотним внеском аморфного кремнію (14 %). Виявлено ряд особливостей основного рівняння еліпсометрії, зв'язаних з розривністю використаних виразів, що суттєво ускладнює розв'язання зворотної задачі еліпсометрії на ЕОМ. Розроблено ефективний метод її розв'язання, який грунтується на оберненні основного рівняння еліпсометрії.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.24,022

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА320408 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Галуза Олексій Анатолійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"