Дисертацію присвячено вивченню оптичних та фотоелектричних властивостей твердотільних структур метал - напівпровідник (GaAs, InP, Si) з перехідними шарами різної фізико-хімічної природи: проміжним шаром власного оксиду на поверхні напівпровідника; ефективним шаром, яким може бути описана мікрорельєфна поверхня чи межа поділу; узгоджуючим шаром між інтегрально виконаними хвилеводом і фотодетектором; силіцидним шаром, утвореним під час взаємодії перехідного металу (CO) з Si; діелектричним шаром власного оксиду напівпровідника та оксидів рідкоземельних елементів (CeO₂). Вперше кількісно пояснено поляриметричний ефект за похилого падіння світла на межу поділу "метал - напівпровідник" з врахуванням проміжного шару і мікрорельєфу межі поділу. У випадку квазідвовимірного мікрорельєфу виявлено новий механізм підсилення фоточутливості внаслідок збудження поверхневих плазмон-поляритонів як при ТМ-, так і ТЕ-поляризації світла. Розроблено новий комплексний еліпсометричний метод визначення оптичних параметрів і товщини двошарових поглинаючих плівок на прозорих підкладинках за звичайного (зовнішнього) відбивання світла і в режимі ослабленого повного відбивання із залученням спектрів оптичного пропускання структур та використано його для дослідження кінетики твердофазних хімічних реакцій (утворення шару Ag₂S на поверхні Ag).

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Фурсенко Оксана Володимирівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"