Досліджено актуальні задачі, пов'язані з впливом радіаційного випромінення, термовідпалів і спрямованої пружної деформації на електрофізичні властивості Si та Ge n-типу. Експериментально доведено, що такі фундаментальні характеристики кристалів n-Si, як константи деформаційних потенціалів у трансмутаційно-легованих кристалах, залишаються практично незмінними або зазнають лише незначних (~ 10 %) змін. Доведено, що зниження параметра анізотропії рухливості K = mu_{perpendicular} / mu_|| у n-Ge з підвищенням внеску домішкового розсіяння носіїв струму повністю обумовлене зниженням компоненти поперечної рухливості mu_{perpendicular}. Продемонстровано безпосередній зв'язок особливостей питомого опору, п'єзоопору, коефіцієнта Холла тощо, які спостерігаються у гамма-опромінених n-Si та n-Ge (різного рівня легування та компенсації), з анізотропією розсіяння. Встановлено суттєвий вплив анізотропії розсіяння на формування кінетичних коефіцієнтів, що вимірюються за умов змішаного (фононного + домішкового) чи переважно домішкового розсіяння в слабко збуреному тепловому полі, а також за наявності довільних за величиною (неквантуючих) магнітних полів чи спрямованих пружних деформацій.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"