Досліджено особливості електроннних процесів у сполуках A^IIB^VI, які обумовлюються гетеровалентним заміщенням компонентів, а саме: формуванням DX(AX)-подібних центрів, утворенням твердих розчинів типу A^IIB^VI - A^IIIB^V, наявністю фонових домішок. Розвинуто перспективний напрямок фізики твердого тіла, пов'язаний з переходом мілкий - глибокий рівень у результаті перебудови кристалічної гратки навколо атома домішки під час гетеровалентного легування кристалів. Результати роботи є важливими для розвитку наукових основ створення детекторів іонізуючого випромінювання. Вперше проведено експериментальне дослідження електронної структури монокристалів ZnSe < As >, ZnSe < Ga > і CdTe < Cl >, яке узгоджується з сучасними уявленнями про природу центрів As_Se, Ga_Zn і Cl_Te, теоретичними моделями їх конфігурації та розрахунками енергетичного спектра. Розроблено модель неоднорідного напівпровідника для твердих розчинів ZnSe - GaAs зі складом поблизу ZnSe, досліджено механізми рентгенолюмінесценції та рентгеночутливості. Вивчено вплив нестехіометрії та фонових домішок на домішково-дефектну структуру телуриду кадмію, отримано нову інформацію про супутні дефекти - V_Te, Te_Cd і френкелівську пару V_Te - Te_i. Вивчено вплив технологічної домішки

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ткачук Петро Миколайович (фізико-математичні науки)
• Ткачук Павло Миколайович (юридичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"