Досліджено енергетичний спектр низькорозмірних (поруватих і нанокристалічних) кремнієвих структур та електронних властивостей межі поділу кристалічного кремнію - поруватого шару за допомогою методу модуляційної спектроскопії електровідбивання. Встановлено, що позитивно заряджені дефекти в окисній плівці спричиняють збагачення електронами приповерхневих шарів кристалічного кремнію під поруватою шубою, а на межі поділу кристалічного кремнію - поруватого шару виникає внутрішнє вбудоване поле. Розроблено зонну діаграму зміни типу поверхневої провідності кристалічного кремнію залежно від площі ефективної поверхні поруватого шару та товщини окисної плівки на ній. Показано, що в енергетичному спектрі поруватого та нанокристалічного кремнію є прямі переходи у спектральних областях поблизу 1,7 еВ, 2 еВ, 2,35 еВ, 2,6 еВ і 2,9 еВ, які пов'язані з переходами зони поверхневих станів - зони провідності.

• Голіней Роман Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"