Досліджено квантові ями (КЯ) на основі гетеропари Al(Ga)As/GaAs та системи самовпорядкованих квантових точок InAs у різних матрицях. Проведено вимір вольт-амперних і вольт-фарадних характеристик за низьких температур (до 30 мК), у сильних магнітних полях (до 10 T), а також виміри фотовідгуку у широкому спектральному діапазоні. Для резонансно-тунельних структур визначено відносний вклад до фотоструму носіїв, прямо інжектованих світлом у КЯ та тих, що тунелюють в КЯ з акумуляційного шару. Установлено комплексний характер фотовідгуку в інфрачервоній області спектра, зумовлений різними механізмами збудження електронно-діркових пар. Побудовано теоретичну модель електрично індукованої надгратки, створеної системою гребінчастих Шоткі-контактів. Результати розрахунків підтверджено експериментально. Запропоновано p-i-n діоди як спектрометри для дослідження енергетичної структури квантових точок (КТ). Досліджено електронні та діркові стани InAs КТ у матрицях GaAs та AlAs. Виявлено, що у структурах з КТ за рахунок ефектів накопичення заряду можуть виникати струмові бістабільності. Показано, що у p-i-n структурі, що містить і КЯ, і КТ, можливе утворення бістабільностей S- та Z-типу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22,022 + В379.271.1,022

Рубрики:

Структура напівпровідників

Електростатика. Електризація

Шифр НБУВ: РА326457 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Данилюк Сергій Васильович (фізико-математичні науки)
• Данилюк Світлана Володимирівна (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"