Проаналізовано вплив товщини шару власного оксиду моноселеніду галію та кристалографічної орієнтації базового напівпровідника на фізичні властивості гетероструктури <$Eroman {In sub 2 O sub 3 ~:~ Sn~-~Ga sub 2 O sub 3 ~-~GaSe}>. Проведено комплексне дослідження процесу формування бар'єра та зміни його параметрів під час росту окисної плівки за <$ET~=~400~ symbol Р roman C> в гетероструктурі p-InSe-власний окисел. Показано можливість одержання плівок <$Eroman {In sub 2 Se sub 3 }> <$Egamma>-модифікації методом вакуумного напилення <$Ealpha>-<$Eroman {In sub 2 Se sub 3 }> із відтворюваними характеристиками. Проведено порівняльний аналіз вольт-амперних і вольт-фаридних характеристик, а також спектрів відносної квантової ефективності фотоперетворення анізотипних радіаційно стійких гетеропереходів p-GaSe (InSe) - n-<$Eroman {In sub 2 Se sub 3 }>, створених методом посадки на оптичний контакт і методом вакуумного напилення <$Eroman {In sub 2 Se sub 3 }>. Встановлено вплив межі поділу на електричні властивості гетеропереходів, створених методом посадки на оптичний контакт двох шаруватих напівпровідників, у випадку зменшення їх послідовного опору до значень, типових для промислових кремнієвих діодів (на прикладі ізотопного гетеропереходу <$Ep sup + ~-~ roman {Bi sub 2 Te sub 3 }> - p-GaSe). Досліджено зміну параметрів бар'єра гетеропереходів, виготовлених методом посадки на оптичний контакт, в процесі довгострокового зберігання (<$E>>~10> років) на прикладі гетеропереходу p-GaSe - n-InSe.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: РА343400 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Драпак Степан Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"