Отримано структури з квантовими ямами, гетероструктури та тонкі плівки напівпровідників <$Eroman {А sup 4 В sup 6 }> методом молекулярної епітаксії ("гаряча стінка") та досліджено їх фізичні властивості з метою встановлення параметрів зонного спектра та можливості їх практичного використання в ІЧ-фотоелектроніці. Показано можливість отримання методом "гарячої стінки" надграток PbTe/PbS ("розривних") з високими електричними характеристиками та високою структурною досконалістю. Виявлено залежності коефіцієнта Холла та питомого опору від магнітного поля в цих надгратках, а це свідчить про наявність носіїв двох типів провідності, що характерно для надграток II типу, напівметалевих. Установлено механізми переносу заряду в гетеропереходах PbSn/PbTeS у широкому інтервалі температур T = 4,2 - 150 К. Визначено параметри зонної діаграми гетеропереходів PbSnTe/PTeS. Виявлено прикордонні стани в досліджених гетеропереходах і встановлено характер їх впливу на електричні та фотоелектричні характеристики. Розглянуто структури з квантовими ямами, фоточутливі в інтервалі температур T = 77 - 300 К із показником добутку <$ER sub 0 A>, які перевищують майже на порядок величини вказаного добутку для поодиноких гетеропереходів. Експериментально доведено можливість виготовлення гетеропереходів, придатних для створення на їх базі ІЧ-фотоприймачів, які працюють у режимі обмеження флуктуаціями фонового випромінювання.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Давиденко Сергій Миколайович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"