Обгрунтовано шляхи вирішення проблеми одержання телуру високої чистоти зі зниженим і контрольованим вмістом кисню для електронного застосування. Встановлено, що у промисловій технології очистки телуру, яка включає дистиляційну та зонну стадії, основним джерелом надходження кисню є діоксид телуру у початковому телурі технічної чистоти. Розроблено дистиляційно-гравіметричний метод контролю розділення системи <$Eroman {Te~-~TeO sub 2 }> на початковій стадії очистки, за допомогою якого забезпечується технологічний контроль очистки телуру від домішки кисню. На підставі експериментальних даних окисно-відновних процесів, які відбуваються під час одержання телуру високої чистоти, обгрунтовано оптимальні значення технологічних параметрів дистиляційної та зонної очистки телуру від домішки кисню. Одержано телур з вмістом основної речовини не менше 99.9999 % мас. і залишкової домішки кисню не більше <$E1~ cdot ~10 sup -5> % мас. Відзначено, що вирощені з розчинів у розплаві телуру епітаксіальні структури CdHgTe характеризуються високими значеннями електрофізичних параметрів та відрізняються низькою щільністю поверхневих дефектів росту.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Тербан Віктор Андрійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"