Досліджено парамагнітні дефекти в імплантованих шарах оксидів кремнію, плівках <$Eroman SiO sub x> та опроміненому електронами 6H-SiC p-типу. Ідентифіковано ряд парамагнітних дефектів у шарах <$Eroman SiO sub 2>, імплантованих іонами <$Eroman Si sup +> та <$Eroman Ge sup +>, та у плівках <$Eroman SiO sub x>. Визначено характер структурних перетворень, які відбуваються в цих зразках у процесі відпалу в температурному діапазоні <$E100~-~1 1000~ symbol Р roman C>. Під час вивчення імплантованих структур <$Eroman Si/SiO sub 2> вперше спостерігались парамагнітні дефекти, пов'язані з надлишком атомів Si в матриці <$Eroman SiO sub 2>, та центри, пов'язані з атомами Ge, розташованими у вузлах гратки <$Eroman SiO sub 2>. У випадку <$Eroman SiO sub x> плівок вперше зафіксовано парамагнітні дефекти на інтерфейсі <$Eroman SiO sub 2> з кремнієвими нанокристалітами. У температурному діапазоні 4 - 300 К визначено параметри спін-гамільтоніану трьох основних центрів Ку1, Ку2 та Ку3, які спостерігаються у кристалах 6H-SiC p-типу, опромінених електронами. Дослідження за допомогою методу електронного парамагнітного резонансу під час вивчення радіаційних центрів у карбіді кремнію проводилось одночасно з теоретичними розрахунками електронної структури та надтонких параметрів дефектів, які грунтуються на теорії функціоналу густини. Порівняння розрахованих з перших принципів надтонких параметрів з експериментально визначеними величинами дозволяє ідентифікувати ці дефекти як позитивно заряджену вакансію вуглецю в нееквівалентних положеннях гратки 6H-SiC. На базі розрахунків відомі дефекти Т5 та Е13 ідентифіковано відповідно як

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Петренко Тарас Тарасович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"