Вперше встановлено залежність потужності збуджуваного світлом теплового ІЧ випромінювання напівпровідникового кристала від рівня легування, товщини, коефіцієнта відбивання поверхні кристала, а також від довжини хвилі збуджувального світла. Проведено оптимізацію потужності надлишкоового ІЧ випромінювання за параметрами кристала. Доведено, що потужність збудженого світлом теплового ІЧ випромінювання напівпровідникового кристала немонотонно залежить від температури кристала: у разі її підвищення потужність ІЧ випромінювання досягає максимуму, а потім зменшується. Встановлено залежність температури максимуму від ширини забороненої зони, типу провідності, рівня легування та товщини кристала, а також від спектральної області, в якій реєструється ІЧ випромінювання. Здійснено обгрунтування явища немонотонності, що пояснюється зростанням коефіцієнта поглинання ІЧ випромінювання рівноважними носіями за умов збільшення температури. Вперше експериментально показано, що спектр збудженого світлом теплового ІЧ випромінювання напівпровідникового кристала реструктурується у разі нанесення на його поверхню тонкоплівкового покриття. Експериментальним шляхом встановлено, що під час збудження напівпровідникового кристала світлом потужність теплового ІЧ випромінювання кристала у діапазонах 3 - 5 та 8 - 12 мкм може зростати до потужності випромінювання абсолютно чорного тіла у даних діапазонах за незмінної температури кристала.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Богатиренко Вячеслав Валерійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"