Узагальнено теорію поздовжніх флуктуацій струму на випадок напівпровідників із анізотропним і непараболічним енергетичним спектром носіїв та непружними механізмами їх розсіювання за наявності зовнішніх гріючого електричного та неквантуючого магнітного полів. Оцінено вплив непараболічності закону дисперсії енергії носіїв на величину і характер залежностей спектральної щільності та коефіцієнта анізотропії флуктуацій струму від температури. Установлено головні закономірності впливу електричного та магнітного полів (кожного окремо і за їх сукупної дії) на спектральну щільність та анізотропію флуктуацій струму, зумовлену симетрією кристалічної гратки кристалів групи <$Eroman D sub 3>, а також анізотропіями енергетичного спектра носіїв та потенціалів їх розсіювання. Показано, що в області низьких частот магнітне поле зменшує інтенсивність флуктуацій, а зі збільшенням частоти призводить до виникнення резонансних явищ, подібних до резонансу в коливній системі за наявності сил тертя. Встановлено, що електричне поле збільшує величину спектральної щільності флуктуацій струму і спричинює зміну її спектральної залежності за рахунок перерозподілу механізмів релаксаційних процесів. Уперше з єдиних позицій виявлено головні закономірності сумісної дії зовнішніх факторів (температури, напруженості електричного та індукції магнітного полів) на частотні залежності спектральної щільності та коефіцієнта анізотропії флуктуацій струму в напівпровіднику з параметрами p-телуру.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Григоришин Олександр Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"