Наведено результати досліджень основних характеристик позиційно-чутливих фотоприймачів (ПЧФ) на базі різних напівпровідникових матеріалів: Si, гетероепітаксійних структур у системі AlGaAs - GaAs, GaAs : Si та структур з легованими надгратками на основі арсеніду галію. Розроблено методику формування розділової канавки кремнієвих ПЧФ на поперечному фотоефекті, яка дозволяє значно покращати лінійність їх позиційної характеристики (ПХ). Показано, що викривлення ПХ на краях двокоординатного ПЧФ зумовлено наявністю суцільних контактів, не залежить від питомого опору та товщини n-шару та визначається довжиною контактних смуг. Визначено можливість використання підкладки як робочої поверхні ПЧФ на основі GaAs : Si. Установлено, що застосування легованих надграток GaAs для створення ПЧФ з поздовжнім фотоефектом дозволяє розширити спектр фоточутливості до 1 150 нм. Запропоновано деякі області їх використання.

• Данилець Євген Валентинович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"