Вивчено природу точкових дефектів (ТД) у монокристалах CdTe, легованого елементами IIIA, IVA, VA і VIIA підгруп. За ефектом Холла у разі високих температур визначено домінюучі власні ТД у нелегованому CdTe в області тисків пари Cd, а також ентальпії їх впровадження: <$EDELTA roman {H sub {Cd sub i sup 2+ }~=~2,52~еВ}>, <$EDELTA roman {H sub {V sub Te sup 2+ }~=~1,33~еВ}>. Оптимізовано константи дефектоутворення, що дозволило здійснити моделювання тискових і температурних залежностей вмісту ТД у CdTe. Виявлено 4 основних типи поведінки індію у CdTe за високих температур залежно від концентрації цієї домішки у кристалах. Установлено, що Tl CdTe за високих температур є донором. На кристалах CdTe<$E<>>, одержано найбільший з усіх напівпровідників коефіцієнт підсилення світла без накладання зовнішнього електричного поля. Установлено, що основна частина Ge знаходиться у вигляді ТД <$Eroman {Ge sub Cd sup + }, решта - в асоціаті <$Eroman {{Ge sub Cd sup + V sub Cd sup + ) sup - }>. З'ясовано, що розчинність силіцію в кадмій телуриді не перевищує <$E3~ times ~10 sup 16 roman {ат"/"см sup 2 }>, а Si поводить себе, переважним чином, як донор, утворюючи центри <$Eroman {Si sub PCd }>. Стибій у CdTe утворює центр <$Eroman {Sb sub Te sup - }>, з енергією іонізації <$EDELTA roman {E~=~E sub V ~+~0,29~еВ}>. Легування CdTe галогенами призводить до посилення процесів самокомпенсації та дуже значного зростання [<$Eroman {V sub Cd }>].

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Фочук Петро Михайлович (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"