Кизяк А. Ю. Процеси тунелювання і вбудови заряду в тонких і надтонких плівках <$Eroman bold {SiO sub 2 }> : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / А. Ю. Кизяк; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. - К., 2007. - 17 c. - укp.Експериментально одержано детальний розподіл потенціалу за товщиною у плівках <$Eroman SiO sub 2>, вирощених за різних температур (<$E800~ symbol Р roman C>, <$E850~ symbol Р roman C>, <$E950~ symbol Р roman C>, <$E1~000~ symbol Р roman C>, <$E1~100~ symbol Р roman C>) на Si (III). Показано, що розподіл потенціалу в окислі суттєво відрізняється для плівок, одержаних за відносно низьких <$Eroman {T~<<~950~ symbol Р C}> і низьких <$Eroman {T~ symbol У ~950~ symbol Р C}> температур. Проаналізовано механізми, які зумовлюють ці відмінності. Показано, що немонотонна залежність розподілу потенціалу, а також заряду за товщиною окисної плівки зумовлена структурними перетвореннями в результаті релаксації механічних напружень у процесі росту <$Eroman SiO sub 2>. Розкрито механізм перерозподілу позитивного заряду в окислі у процесі окиснення. Виявлено вбудований ефективний від'ємний заряд на/біля межі <$Eroman {Si"/"SiO sub 2 }> для МОН структур з плівкою <$Eroman SiO sub 2> (15 нм) після дії <$Egamma>-опромінення. Цей ефект зумовлений наявністю бору певної концентрації у плівках двоокису кремнію, вирощених на кремнії, легованому бором до концентрації <$Esymbol У ~10 sup 17 ~ roman см sup -3>. Визначено механізм виникнення від'ємного заряду у результаті захоплення електрона на вільний зв'язок атома бору. Показано суттєвий вплив заряду у надтонких плівках <$Eroman SiO sub 2> (3 - 9 нм) на процес тунелювання. Виявлено, що за умов інжекції з підкладки струм через плівку двоокису кремнію зумовлений прямим тунелюванням носіїв струму з підкладки в затвор, а за інжекції з затвору величина струму обмежується бар'єром, Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.227,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА354607 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|