РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000251783<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Кизяк А. Ю. 
Процеси тунелювання і вбудови заряду в тонких і надтонких плівках <$Eroman bold {SiO sub 2 }> : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / А. Ю. Кизяк; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. - К., 2007. - 17 c. - укp.

Експериментально одержано детальний розподіл потенціалу за товщиною у плівках <$Eroman SiO sub 2>, вирощених за різних температур (<$E800~ symbol Р roman C>, <$E850~ symbol Р roman C>, <$E950~ symbol Р roman C>, <$E1~000~ symbol Р roman C>, <$E1~100~ symbol Р roman C>) на Si (III). Показано, що розподіл потенціалу в окислі суттєво відрізняється для плівок, одержаних за відносно низьких <$Eroman {T~<<~950~ symbol Р C}> і низьких <$Eroman {T~ symbol У ~950~ symbol Р C}> температур. Проаналізовано механізми, які зумовлюють ці відмінності. Показано, що немонотонна залежність розподілу потенціалу, а також заряду за товщиною окисної плівки зумовлена структурними перетвореннями в результаті релаксації механічних напружень у процесі росту <$Eroman SiO sub 2>. Розкрито механізм перерозподілу позитивного заряду в окислі у процесі окиснення. Виявлено вбудований ефективний від'ємний заряд на/біля межі <$Eroman {Si"/"SiO sub 2 }> для МОН структур з плівкою <$Eroman SiO sub 2> (15 нм) після дії <$Egamma>-опромінення. Цей ефект зумовлений наявністю бору певної концентрації у плівках двоокису кремнію, вирощених на кремнії, легованому бором до концентрації <$Esymbol У ~10 sup 17 ~ roman см sup -3>. Визначено механізм виникнення від'ємного заряду у результаті захоплення електрона на вільний зв'язок атома бору. Показано суттєвий вплив заряду у надтонких плівках <$Eroman SiO sub 2> (3 - 9 нм) на процес тунелювання. Виявлено, що за умов інжекції з підкладки струм через плівку двоокису кремнію зумовлений прямим тунелюванням носіїв струму з підкладки в затвор, а за інжекції з затвору величина струму обмежується бар'єром,


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.227,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА354607 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського