Досліджено взаємодію InAs та InSb з розчинами систем HNO₃ - HCl(HBr)-комплексоутворювач і розроблено на основі отриманих еспериментальних результатів травильні композиції та режими обробки поверхонь вказаних напівпровідників. Побудовано поверхні однакових швидкостей травлення (діаграми Гіббса) арсеніду та антимоніду індію в досліджуваних системах розчинів за умов використання води, оцтової, винної, щавелевої, молочної та цитринової кислот як комплексоутворювача з використанням математичного планування експерименту. Досліджено кінетичні закономірності процесу розчинення та встановлено межі існування областей поліруючих і неполіруючих розчинів у кожній з досліджуваних систем. Установлено, що введення до сумішей HNO₃ - HCl(HBr) вказаних комплексоутворювачів призводить до зміни швидкості травлення і стану оброблюваної поверхні. На основі аналізу методом SNMS поверхневих плівок, утворених після хімічного травлення, доведено, що вони неоднорідні та збагачені, в основному, оксидами арсену та стибію. У досліджуваних системах оптимізовано склади поліруючих травильних композицій і розроблено режими та методи підготовки полірованих поверхонь InAs та InSb.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Даниленко Світлана Григорівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"