Відбиті дослідження проблеми підвищення ефективності генерації та розширення частотних можливостей діодів Ганна. Досліджено вплив різних типів катодних контактів (n⁺ - n^- - n - контакт, металевий катодний контакт, гетероперехід на катодному контакті) та профілю легування GaAs-діодів на ККД генерації як на основній частоті, так і на частоті другої та третьої гармонік. Визначено, що кращими по ККД генерації на частоті другої гармоніки є діоди з металевим катодним контактом, а на частоті третьої гармоніки - n⁺ - n^- - n - катодний контакт. Досліджені енергетичні характеристики діодів Ганна на основі перспективних сполук напівпровідників А₃В₅(In_xGa_1-xAs, InP_1-xAs_x, In_1-xGa_xP_1-yAs_y) з різними типами катодних контактів. Показано, що в діодах на основі цих напівпровідників розповсюджуються ті ж типи нестійкостей, що й в діодах на основі GaAs. Розглянута можливість використання коротких діодів Ганна та діодів з двохбар'єрною квантовою структурою як нелінійних елементів помножувачів частоти.

• Аркуша Юрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"