Установлено закономірності дифузії, структурних і фазових перетворень на ранніх стадіях у нанорозмірних багатошарових покриттях Mo / Si і Sc / Si у процесі їх виготовлення, термічного відпалу й опромінення прискореними частинками та лазерним рентгенівським випромінюванням. Під час процесу одержання багатошарових покриттів Mo / Si і Sc / Si на міжфазних межах поділу утворюються аморфні перемішані зони складу <$Eroman MoSi sub 2> і ScSi, які продовжують рости на початку ізотермічного відпалу. Переважним дифузантом є атоми кремнію, а реакція силіцидоутворення відбувається на межі метал - силіцид. У разі опромінення багатошарових покриттів Mo / Si іонами <$Eroman He sup +> і <$Eroman Ar sup +> малими дозами товщина перемішаних зон збільшується лінійно з дозою опромінення, а їх середній атомний склад відповідає складу <$Eroman MoSi sub 8,2> і <$Eroman MoSi sub 3,9> відповідно. Наведено результати детального вивчення структурних перетворень у багатошарових покриттях Sc / Si, опромінених імпульсами рентгенівського лазера.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Зубарєв Євгеній Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"