Показано, що досягнення оптимальних оптоелектричних властивостей для плівок ZnO:In та ZnO:Al, одержаних реактивним магнетронним розпиленням за постійним струмом, відбувається завдяки різним фізичних механізмам, що взаємопов'язано з різними атомарними радіусами алюмінію та індію. Установлено, що за високочастотного нереактивного магнетронного розпилення у разі збільшення робочого тиску спостерігається нетрадиційна зміна фізичних закономірностей впливу товщини плівок ZnO:Al на значення концентрації основних носіїв заряду. Уточнено й обгрунтовано фізичні механізми впливу на оптоелектричні властивості даних плівок концентрації легувальної фази у складі мішені за нереактивного магнетронного розпилення магнетрона у разі високочастотного розпилення.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ковтун Назар Анатолійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"