Установлено, що у процесі витримки за кімнатної температури упродовж дев'яти років кристали кремнію, опромінені високоенергетичними електронами (E ~ 18 МеВ) у дозах 3,6 та 5,4 кГрей, стали більш однорідними за структурою, ніж у разі опромінення у дозах 1,8 і 2,7 кГрей. Виявлено, що збільшення енергії опромінення призводить до ефективного зменшення структурної неоднорідності за об'ємом зразків та росту (до 50 %) концентрації дрібних за розмірами мікродефектів B-типу (преципітатів <$Eroman SiO sub x>) внаслідок релаксації пружних макродеформаційних полів. Визначено зміну концентрації, розмірів і спектра мікродефектів у кристалах кремнію, опромінених високоенергетичними частинками за умов тривалого природного старіння. Виявлено температурний гістерезис внутрішнього тертя та ефективного модуля зсуву в неопромінених і серії опромінених зразків кремнію. Поява петлі гістерезису взаємопов'язана з взаємодією генетичних мікродефектів з точковими дефектами у кристалі та їх несиметричним розподілом у процесі нагрівання - охолодження зразків. Установлено, що збільшення дози опромінення високоенергетичними частинками призводить до зменшення петлі гістерезису (площі), а за дози 3,6 кГрей до його повного зникнення, зумовленого збільшенням числа стоків для точкових дефектів як дрібних за розмірами (~ 1 - 5 мкм) мікродефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: РА340143 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гуцуляк Богдан Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"