Досліджено властивості тонких багатокомпонентних епітаксійних плівок Si - Ge, Si - Ge - C, отриманих методом плазмохімічного осадження; структур, сформованих імплантацією іонів Ge⁺ в кремній з подальшим постімплантаційним відпалом; шарів Cd - Hg - Se, отриманих методом лазерного розпилення за умов високого статистичного вакууму, та вплив на них різних видів обробок. Показано, що введення вуглецю в процесі іонної імплантації більш ефективно впливає на рівень механічних напружень в епітаксійних структурах Si - Ge, ніж легування під час плазмохімічного осадження. За допомогою методу високороздільної двокристальної рентгенівської дифрактометрії вперше виявлено аморфізований шар на межі поділу епітаксійної плівки Si - Ge (отриманої внаслідок плазмохімічного осадження) - підкладка Si. Досліджено вплив температури підкладки на структуру плівок Cd - Hg - Se, виготовлених методом лазерного розпилення. На базі даних про температурну залежність коефіцієнта Хола запропоновано модель, яка пояснює структурні зміни в плівках.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Політанський Руслан Леонідович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"