Установлено основні параметри багатошарової системи <$Eroman In sub x roman Ga sub 1~-~x roman As sub 1~-~y roman N sub y "/" roman GaAs>. Показано, що присутність азоту значно зменшує параметри невідповідності граток квантової ями та підкладки. На межах розподілу гетерошарів відбуваються процеси взаємодифузії, а саме, атоми In дифундують в бар'єрний шар, а атоми Ga - в квантові ями (КЯ). Концентрація індію в окремих шарах КЯ змінюється в межах 12 - 37 %, азоту 0,1 - 4 %. Показано, що ступінь розмиття меж розділу КЯ за типом <$Eroman In sub x roman Ga sub 1~-~x roman As sub 1~-~y roman N sub y> значно впливає на інтенсивність фотолюмінесценції та величину зміщення основного максимуму в "блакитну" область спектра. Короткочасний (~ 10 с) температурний відпал значно покращує фотолюмінесцентні характеристики даної системи. Доведено, що багатошарові структури з деформаційно-компенсаційними бар'єрними шарами GaAsN є більш досконалими.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кройтор Ольга Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"