Досліджено основні властивості нового типу рідких кристалів (РК) матеріалів, а саме: низькоконцентрованих суспензій сегнетоелектричних частинок <$Eroman {Sn sub 2 P sub 2 S sub 6 }> і <$Eroman BaTiO sub 3> у нематичних РК. Показано, що додавання сегнетоелектричних частинок призводить до суттєвого збільшення оптичної та діелектричної анізотропії та температури фазового переходу рідкого кристала до ізотропної фази. Суспензії характеризуються меншими напругами електрооптичних ефектів у порівнянні з частими РК. Запропоновано модель впливу сегнетоелектричних наночастинок на основні властивості РК матриці, яка пояснює збільшення оптичної та діелектричної анізотропії РК, а також температури фазового переходу рідкого кристала в ізотропну фазу підвищенням параметра порядку РК поблизу частинок завдяки сильному електричному полю, що взаємопов'язане з постійним дипольним моментом частинок. Сегнетоелектричні суспензії можуть бути застосовані як робочі речовини у приладах відображення, обробки та запису інформації, оскільки мають переваги у порівнянні з частими РК, а саме: менші напруги електрооптичних переходів, менші часи електрооптичного відгуку та більший коефіцієнт обміну енергіями світлових пучків під час запису дифракційних фоторефрактивних граток. Додавання сегнетоелектричних наночастинок в РК матриці є ефективним методом контролю фізичних властивостей РК матеріалів.

• Бучнєв Олександр Степанович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"