Розроблено методи стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей і області застосування. Концепція цієї розробки заснована на одержанні напівпровідникових мікрокристалів арсеніду індію з заданим рівнем легування, за якого зміна концентрації вільних носіїв заряду під дією опромінення високоенергетичним електронами буде мінімальною. Шляхом математичного моделювання показано можливість легування мікрокристалів арсеніду індію домішками олова у широкому діапазоні концентрацій під час осадження їх з газової фази в хлоридній системі AnAs - Sn - HCl. Реалізовано технологію одержання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію з концентрацією вільних носіїв заряду від <$E5~ cdot ~ 10 sup 16 ~ roman см sup -3> до <$E1~ cdot ~ 10 sup 19 ~ roman см sup -3>. Експериментально визначено оптимальний рівень легування мікрокристалів арсеніду індію, за якого зміна концентрації вільних носіїв заряду під час опромінення високоенергетичними електронами є мінімальна. Мікрокристали <$Eroman {InAs<>}>, одержані осадженням з газової фази у хлоридній системі, використані у датчиках магнітного поля холівського типу для вирішення магнітовимірювальних задач.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шуригін Федір Михайлович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"