Ткаченко М. О. Удосконалення технології шліфування кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією : Автореф. дис... канд. техн. наук / М. О. Ткаченко; Кременчуц. ун-т економіки, інформ. технологій і упр. - Кременчук, 2005. - 20 c. - укp.Уперше визначено оптимальні значення основних параметрів процесу шліфування (t - максимальної глибини шліфування та <$Eroman {d sub кр }> - глибини руйнування), що не призводить до структурних порушень поверхневого шару кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією (КСДІ). Розроблено математичну модель процесу шліфування КСДІ. З'ясовано значення параметрів шліфувальних кругів, що забезпечують мінімальну глибину порушеного шару. Установлено оптимальні значення відношення <$Eroman {n sub ст "/"n sub кр }> у межах <$E1,79~ cdot ~ 10 sup -5 ~ symbol Ш ~4,7~ cdot ~10 sup -5> та глибини шліфування КСДІ за прохід, яка не перевищує 35 мкм. Розроблено метод визначення числа проходів шліфування з урахуванням виміряної товщини структури, необхідної глибини шліфування кожним кругом і накладених на сумарну глибину шліфування обмежень. Запропоновано процедуру визначення значень параметрів розташування КСДІ на вакуумному утримувачі та знайдено їх значення (<$Ephi sub { roman ср } ~=~15 symbol Р ,~ psi sub { roman ср } ~=~24 symbol Р,~ lambda ~=~9 symbol Р>), за яких досягаються оптимальні умови шліфування. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-077
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА340629 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|