Експериментально встановлено вплив різномасштабних структурних неоднорідностей, сформованих двовимірними дефектами структури, на стійкість відклику кристалів CdZnTe і ZnSe на дію зовнішніх чинників (енергії фотонів <$Eh nu>, температури T, частоти f і напруженості E зовнішнього електричного поля) та розроблено спосіб цілеспрямованого формування стабільних електрофізичних характеристик даних кристалів. Показано, що локальна нестійкість фотовідклику кристалів CdZnTe та ZnSe обумовлена неузгодженою перебудовою різномасштабних пружних та електричних полів, породжених окремими структурними неоднорідностями. Обгрунтовано принцип селективної циклічної післякристалізаційної обробки кристалічних матеріалів, які дозволяють зменшувати потужність окремих джерел нестійкості. Запропоновано алгоритми визначення граничних меж зовнішніх чинників (енергії фотонів <$Eh nu>, температури T, частот f та амплітуд E зовнішнього поля). Розроблено та запатентовано новий спосіб селективної акустичної обробки для цілеспрямованого формування стабільних сенсорних характеристик кристалів CdZnTe та ZnSe.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379 в641.8,022 + З852.6

Рубрики:

Фізика напівпровідників та діелектриків

Оптичні напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: РА346913 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Фомін Олександр Сергійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"