Розроблено новий фізичний підхід до оптимізації фотоелектричних процесів плівкових гетероструктур, з використанням якого шляхом моделювання впливу світлових діодних параметрів на вихідні параметри сонячних елементів (СЕ) ідентифікуються один чи два світлові діодні параметри, що визначають коефіцієнт корисної дії (к. к. д.) конкретного СЕ, а також експериментально досліджено вплив кристалічної та енергетичної структур на ці діодні параметри. Вперше запропоновано фізичну модель деградації фотоелектричних властивостей гетероструктур на основі <$Eroman {CuIn sub 0,7 Ga sub 0,3 Se sub 2}> після трирічної витримки на повітрі, що базується на експериментально зафіксованому утворенні вторинних фаз та зниженні концентрації натрію в базовому шарі. Це призводить до зменшення к. к. д. за рахунок зниження світлового шунтувального опору та збільшення світлового діодного струму насичення. Експериментально показано, що істотна відмінність теоретичних і експериментальних значень напруги холостого ходу "substrate" СЕ на основі <$Eroman {CuGaSe sub 2 }> у порівнянні з СЕ на основі <$Eroman {CuIn sub 0,7 Ga sub 0,3 Se sub 2 }> зумовлена меншою структурною досконалістю базового шару та відсутністю в ньому інверсії електропровідності приповерхневої області, що сумарно призводить до підвищених значень густини світлового діодного струму насичення. Доведено, що більш низька ефективність "superstrate" СЕ на основі базових шарів <$Eroman CuGaSe sub 2> обумовлена наявністю на міжфазній межі ZnO - <$Eroman CuGaSe sub 2> прошарку, що викликає збільшення послідовного опору та формування сепарувального бар'єра в дрібнокристалічній області, що призводить до

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Черних Олена Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"