Рожин О. Г. Фотолюмінесцентні властивості структур на основі пористого кремнію модифікованого поверхневими обробками : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / О. Г. Рожин; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2001. - 16 c. - укp.Вивчено властивості пористого кремнію (ПК), сформованого на йонно-імплантованих пластинах кремнію. Виявлено ефект активації високоенергетичної фотолюмінесценції (ФЛ) на B+ імплантованих зразках після швидкого термічного відпалу ПК, обумовлений сегрегацією бору на границі поділу кремнієвий кристаліт - шар SiOx. Поверхневі обробки в плазмі водню дозволяють значно підвищити інтенсивність ФЛ ПК за рахунок пасивації центрів безвипромінювальної рекомбінації. Підсилення наносекундної ФЛ алмазоподібних плівок (АПП) вуглецю, осаджених на поверхню ПК, пов'язане з утворенням вуглецевих нанокластерів на поверхні кремнієвих ниток, переміщенням носіїв заряду з ПК на АПП і випромінювальною рекомбінацією в нанокластерах. Нанесення тонких шарів SiC на ПК призводить до формування структур ПК - SiC, більш стійких до термічних відпалів на відміну від вихідного ПК. Виявлено ефект сенсибілізації випромінювання C60 після введення молекул C60 в пори ПК. Ефект пояснено у рамках моделі фотоіндукованого переносу енергії збудження з ПК на адсорбовані молекули C60. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА313766 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|