У дисертації методом комп'ютерного моделювання досліджено альтернативні моделі аморфізованого алмазоподібного напівпровідника на прикладі а-Si. Перша модель відповідає аморфній фазі, що виникає внаслідок іонної імплантації, друга - внаслідок вакуумного осаждування. Показано, що структурні і електронні характеристики аморфного напівпровідника істотно визначаються способом його одержання. Досліджено деградаційні процеси в аморфних напівпровідниках, які є базовими матеріалами опто- і фотоелектроніки. Зроблено співставлення з відомими експериментальними результатами.

• Урум Галина Дмитрівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"