Створено комп'ютеризований сумісний фототермоакустичний (ФТА) та фотоелектричний (ФЕ) мікроскоп, принцип дії якого базується на використанні одночасно збуджених теплових хвиль і хвиль нерівноважних електронно-діркових пар як носіїв інформації про властивості напівпровідників. Вивчено напівпровідникові структури кремнію: епітаксійні з різним типом провідності, імплантовані іонами бору та фосфору, а також пружно напружену область поблизу вершини тріщини в пластині кремнію. Одержано ФТА та ФЕ топограми. Досліджено пластини кремнію, імплантовані іонами за методами ФТА мікроскопії та виміру зміни коефіцієнта відбиття напівпровідників під дією модульованого лазерного опромінювання. Проведено порівняльний аналіз ФТА та ФЕ зображень вказаних структур на підставі результатів якого встановлено, що візуалізація тепловими хвилями областей епітаксійного нарощування та іонної імплантації в структурах на основі кремнію зумовлена залишковими пружними напругами, які виникають за умов технологічного циклу їх виготовлення. Експериментально встановлено наявність просторової періодичності в розподілі механічних властивостей в околі вершини технологічної тріщини у p-кремнії з періодом <$Esymbol Ы ~85> мкм. Визначено, що залежність величини ФТА сигналу від логарифма концентрації іонів бору та фосфору, імплантованих до пластини кремнію, є лінійною за концентрації іонів у межах <$E1,8~ cdot ~10 sup 11 ~ symbol Ш ~6~ cdot ~10 sup 13> іон/см<^>2.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4,022 + В379.271.51,022 + В343.53,022

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Термоелектричні явища

Поляризаційні прилади

Шифр НБУВ: РА317825 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кузьмич Андрій Григорович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"