Розроблено нові фізичні та технологічні підходи до створення приладів мікроелектроніки. Створено фізико-технологічні засади одержання гетероструктур на основі p-InSe-поліфенілацетилену, p-InSe-поліаніліну, а також композита на основі мікродиспергованого InSe у спряженому полімері, досліджено їх електрохімічні та фотоелектричні властивості. Виявлено електрохімічний ефект у структурі <$Eroman {In sub 2 O sub 3 }>. З використанням розробленої технології впровадження Ni у шаруватий монокристал GaSe виявлено й обгрунтовано зміну кінетичних параметрів лазерно-інтеркальованих шаруватих кристалів та появу електретних і фотоелектретних ефектів. Наведено результати апробації гетероструктури <$Eroman {In sub 2 O sub 3 }>-спряжений поліаміноарен як електрохромного елемента у невипромінювальних дисплеях, а також як чутливого елемента у сенсорах токсичних газів і водневого покажчика середовища. Розроблено фізично-технологічні засади створення сенсорів на основі поруватого кремнію та провідних полімерів. Модифікацію поверхні селеніду галію широкозонними напівпровідниковими плівками здійснено на базі розробленої технології формування оксидного шару на цій поверхні з застосуванням лазерного окиснення та методу іонного розпилення у схрещених електричному та магнітному полях для формування нітридо-галієвих структур.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: РА341229 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Стахіра Павло Йосипович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"