Досліджено електричні, фотоелектричні та рентгеноелектричні процеси у анізотипних гетеропереходах сульфід - телурид кадмію, виготовлених методом реакцій твердофазного заміщення. Розглянуто технологічні режими які дозволяють отримувати гетеропереходи з незначною концентрацією дефектів на межі поділу. Проаналізовано зв'язок основних електричних та фотоелектричних характеристик і параметрів гетероструктур за умов їх виготовлення. Виявлено спектральну залежність коефіцієнтів помноження носіїв заряду, що дало змогу встановити домінуючу роль дірок у процесах ударної іонізації. Наведено спектральні та дозиметричні характеристики гетероструктур під час їх опромінення рентгенівськими квантами. Виготовлено лабораторні зразки сонячних елементів, детекторів лазерного випромінювання, оптопар, детекторів рентгенівського випромінювання прямого перетворення та типу "сцинтилятор-фотодіод". Чутливість останніх до рентгенівських квантів у діапазоні 8 - 33 кеВ більш, ніж на два порядки перевищує чутливість існуючих аналогів.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Барасюк Ярослав Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"