Захищається 9 наукових робіт. Особливістю слабких сегнетоелектриків є мала величина екранування поля спонтанної поляризації, що призводить до збільшення ролі флуктуацій параметру порядку поблизу Т_c. В роботі виявлено сильний температурний гістерезис діелектричної проникності кристалів Li₂Ge₇O₁₅ при температурі фазового переходу, пов'язаний з "заморожуванням" релаксаційної складової діелектричної проникності при перебуванні зразка у сегнетофазі. Встановлена сильна частотна дисперсія дебаєвського типу для величини epsilon_max в діапазоні частот 10³ - 10⁶Гц. Температурна поведінка epsilon_max пов'язується з внеском літієвого підгратника. Критичний індекс сприйнятливості отриманий з діелектричних досліджень добре узгоджується з критичним показником параметру порядку, визначеним методом ЕПР. Отримані в роботі дані вкладаються в рамки тривимірної моделі Ізінга.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"