Викладено результати досліджень різних типів гетеропереходів (ГП) на основі напівпровідників з шаруватою кристалічною будовою (GaSe, GaTe, InSe, <$Eroman SnS sub 2>), що відрізняються радіаційною стійкістю. Показано, що усунення впливу неузгодженості кристалічних граток на діодні властивості ГП може бути досягнено шляхом застосування на гетеромежі вандер-ваальсівського зв'язку двох напівпровідників або ж їх власних оксидів. Установлено, що фотоелектричні параметри ГП можуть бути істотно змінені в результаті використання тандемних систем наноструктурування плівки-ГП. У ГП з високим значенням потенціального бар'єра виявлено інверсійний шар за рівноважних умов. Обгрунтовано можливість ефективного використання наявних у ГП значних розривів енергетичних зон і тунельного діелектрика на гетеромежі для реалізації явищ внутрішнього зростання фотоерс, внутрішнього підсилення фотоструму, одержання спадної ділянки на прямій гілці вольтамперної характеристики (ВАХ), аналогічної до ВАХ тунельних діодів. Виявлено, що у ГП вироджений напівпровідник (ІТО, власні оксиди InSe та <$Eroman {In sub 4 Se sub 3 }>-шаруватий кристал). Доведено, що, залежно від висоти бар'єра, виявлені властивості характерні для інжекційних діодів на неосновних носіях заряду та діодів Шотткі на основних носіях. Встановлено, що металева провідність власного оксиду InSe та можливість сколювати кристалічні підкладки мікронної товщини дозволяє сформувати фотогетеротранзистор з тонкою базою, що відрізняється простою технологією виготовлення.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Катеринчук Валерій Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"