Запропоновано новий фізичний підхід до оптимізації технології одержання напівпровідникових широкозонних шарів для плівкових фотоелектрично активних гетеросистем. Показано, що процес осадження шарів ZnO : Al з високими оптоелектричними параметрами для "substrate" гетеросистем на основі <$Eroman CuInSe sub 2> не повинен викликати міжфазну та дифузійну взаємодію в сформованих раніше сполучених шарах, а умови формування шарів ZnO : Al у "substrate" гетеросистемах на основі <$Eroman CuGaSe sub 2> та CdTe - <$Eroman {In sub 2 O sub 3 }> : Sn для "superstrate" гетеросистем на основі CdTe відповідно повинні забезпечити стабільність їх високих оптоелектричних параметрів у процесі подальшого формування багатошарової системи.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Юрченко Григорій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"