Встановлено механізми тунелювання в двобар'єрних резонансно-тунельних діодах (ДБРТД) з широким спейсерним шаром. Показано, що виявлені осциляції струму та ефект власної бістабільності добре узгоджуються з запропонованою теоретичною моделлю квантової інтерференції. Досліджено механізм модифікації транспортних явищ ДБРТД під дією напруги, індукованої електричним полем надгратки. Встановлено кореляцію між електрофізичними, оптичними, технологічними параметрами та вивченими квантово-розмірними ефектами в p - n діоді з двома зв'язаними дельта легованими шарами. Вивчено особливості явищ переносу p - n діода з двобар'єрною структурою, в ямі якої самоузгоджено сформовані квантові точки. Встановлено механізми формування осциляційної структури та бістабільності як S-, так і Z-виду, які добре описуються в рамках запропонованої теоретичної моделі. Визначено окремо вплив ефектів на гарячих носіях струму та саморозігріву зразка під дією ефекту Джоуля на транспортні явища у AlGaN/GaN гетероструктурі. Продемонстровано найнижчий рівень фазового шуму у розроблених нових видах високочастотних осциляторів (23 ГГц та 10 ГГц) у порівнянні з рівнями фазового шуму комерційних осциляторів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225,022 + З852.2-03

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: РА344537 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Вітусевич Світлана Олександрівна (1959–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"