Кравченко В. М. Інфрачервона фотолюмінесценція кристалів ZnSe і ZnSe(Te) : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.05 / В. М. Кравченко; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. - К., 1999. - 18 c. - укp.Дисертацію присвячено виявленню природи смуг інфрачервоної (ІЧ) фотолюмінесценції (ФЛ) кристалів ZnSe і ZnSe(Te). На підставі експериментального дослідження ФЛ додатково очищених кристалів, а також розрахунків із застосуванням статистики носіїв заряду у напівпровідниках з багатозарядними центрами досліджено, що ІЧ ФЛ зумовлена багатозарядними власними точковими дефектами (ВТД). Так, ІЧ-смуга 1,3 еВ визначена внутрішньоцентровими переходами між збудженим та основним станами однократно іонізованих вакансій селену, які є двозарядними донорами, а ІЧ-смуга 1,6 еВ - випромінювальними переходами електронів з одноразово іонізованих вакансій селену на акцепторний рівень комплексу [VZnTeSe]. Виявлено, що відпалювання кристалів ZnSe(Te) в атмосфері металу (Zn або Cd) призводить до зменшення інтенсивності ІЧ-смуг та збільшення квантового виходу червоної смуги люмінесценції 1,9 еВ (640 нм), яка є робочою у сцинтиляторах рентгенівського та gamma-випромінювання на підставі селеніду цинку. Проведені розрахунки довели: особливості поведінки червоної люмінесценції очищених кристалів ZnSe і ZnSe(Te) добре описано теоретичною моделлю, яку побудовано на підставі концепції амфотерних центрів рекомбінації (їх роль у реальних кристалах відіграють комплекси ВТД, зокрема, комплекси [VZnZni] і [VZnTeSeZni]). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + В381.531,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА307490 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|